Beschreibung
IRFR7746PBF Infineon
Beschreibung: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET 59 A 75 V HEXFET 3-Pin DPAK, hergestellt von Infineon. Die Hersteller-Teilenummer ist IRFR7746PBF. Während 59 A maximaler kontinuierlicher Drainstrom. Der Transistor ist aus hochbeständigem Si-Material gefertigt. Darüber hinaus ist das Produkt 6,22 mm breit. Das Produkt bietet eine Einzeltransistorkonfiguration. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 75 V. Das Produkt hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 3,7 V. Das Gehäuse ist eine Art DPAK (TO-252). Es besteht aus 1 Element pro Chip. Während seine minimale Gate-Schwellenspannung 2,1 V beträgt. Es hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Mit einer typischen Gate-Ladung bei Vgs sind 59 nc @ 10 V enthalten. Das Produkt ist im Kanal [Kanaltyp] verfügbar. Seine genaue Länge beträgt 6,73 mm. Es enthält 3 Pins. Das Produkt verfügt über einen verbesserten Kanalmodus. Das Produkt ist in einer Oberflächenmontagekonfiguration verfügbar. Bietet bis zu 99 W maximale Leistungsabgabe. Das Produkt Hexfet ist eine sehr beliebte Wahl für Benutzer. Es verfügt über eine maximale Gate-Source-Spannung von -20 V, +20 V. Darüber hinaus beträgt die Höhe 2,39 mm. Die minimale Betriebstemperatur des Produkts beträgt -55 °C. Seine Durchlassdiodenspannung beträgt 1,2 V. Es bietet bis zu 11,2 mω maximalen Drain-Source-Widerstand.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IRFR7746PBF
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