Beschreibung
IRFSL7434PBF Infineon
Beschreibung: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET 320 A 40 V HEXFET 3-Pin I2PAK, hergestellt von Infineon. Die Hersteller-Teilenummer ist IRFSL7434PBF. Während 320 A maximaler kontinuierlicher Drainstrom. Der Transistor ist aus hochbeständigem Si-Material hergestellt. Darüber hinaus ist das Produkt 4,83 mm breit. Das Produkt bietet eine Einzeltransistorkonfiguration. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V. Das Gehäuse ist eine Art I2Pak (TO-262). Es besteht aus 1 Element pro Chip. Es hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Mit einer typischen Gate-Ladung bei Vgs sind 216 nc @ 10 V enthalten. Das Produkt ist im Kanal [Kanaltyp] verfügbar. Seine genaue Länge beträgt 10,67 mm. Es enthält 3 Pins. Das Produkt verfügt über einen Enhancement-Kanalmodus. Das Produkt ist in einer Durchsteckkonfiguration verfügbar. Bietet bis zu 294 W maximale Leistungsableitung. Das Produkt Hexfet ist eine sehr bevorzugte Wahl für Benutzer. Es verfügt über eine maximale Gate-Source-Spannung von -20 V, +20 V. Darüber hinaus beträgt die Höhe 9,65 mm. Die minimale Betriebstemperatur des Produkts beträgt -55 °C. Seine Durchlassdiodenspannung beträgt 1,3 V. Es bietet einen maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 1,8 mω.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IRFSL7434PBF
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