Beschreibung
IRFHM8235TRPBF Infineon
Beschreibung: Hergestellt von Infineon Technologies. Die Herstellerteilenummer ist IRFHM8235TRPBF. Ihm ist der mögliche HTSUS-Wert 8541.29.0095 zugewiesen. Die typische Vgs (th) (max) des Produkts beträgt 2,35 V bei 25 µA. Das Produkt hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (tj). Außerdem ist das Produkt in 8-Power-TDFN erhältlich. Es hat einen maximalen Rds On und eine Spannung von 7,7 mOhm bei 20 A, 10 V. Die maximale Gate-Ladung und die angegebenen Spannungen umfassen 12 nc bei 4,5 V. Das Produkt ist RoHS3-konform. Darüber hinaus ist es RDC-unempfindlich. Es verfügt über einen FET-Typ N-Kanal. Die Antriebsspannung (maximaler und minimaler Rds On) des Produkts umfasst 4,5 V, 10 V. Es wird in Tape & Reel (TR)-Verpackung geliefert. Das Produkt hat eine Drain-Source-Spannung von 25 V. Die maximale Vgs-Rate beträgt ±20 V. Seine typische Feuchtigkeitsempfindlichkeit beträgt 1 (unbegrenzt). Das Produkt hat eine maximale Verlustleistung von 3 W (ta), 30 W (tc). Die maximale Eingangskapazität des Produkts beträgt 1040 pF bei 10 V. Das Produkt ist in Oberflächenmontagekonfiguration erhältlich. Das Produkt Hexfet ist eine sehr bevorzugte Wahl für Benutzer. 8-pqfn (3,3 x 3,3), Power33 ist der Gerätepaketwert des Lieferanten. Die kontinuierliche Stromaufnahme bei 25 °C beträgt 16 A (ta). Dieses Produkt verwendet MOSFET-Technologie (Metalloxid). Das Produkt ist mit der Codenummer EAR99 gekennzeichnet.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IRFHM8235TRPBF
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