Beschreibung
IRFSL4010PBF Infineon
Beschreibung: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET 180 A 100 V HEXFET 3-Pin I2PAK, hergestellt von Infineon. Die Hersteller-Teilenummer ist IRFSL4010PBF. Während 180 A maximaler kontinuierlicher Drainstrom. Der Transistor ist aus hochbeständigem Si-Material gefertigt. Darüber hinaus ist das Produkt 4,83 mm breit. Das Produkt bietet eine Einzeltransistorkonfiguration. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V. Das Produkt hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V. Das Paket ist eine Art I2Pak (TO-262). Es besteht aus 1 Element pro Chip. Während seine minimale Gate-Schwellenspannung 2 V umfasst. Es hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Mit einer typischen Gate-Ladung bei Vgs sind 143 nc @ 10 V enthalten. Das Produkt ist im Kanal [Kanaltyp] verfügbar. Seine genaue Länge beträgt 10,67 mm. Es enthält 3 Pins. Das Produkt verfügt über einen verbesserten Kanalmodus. Das Produkt ist in einer Durchgangslochkonfiguration verfügbar. Bietet bis zu 375 W maximale Leistungsabgabe. Das Produkt Hexfet ist eine sehr beliebte Wahl für Benutzer. Es verfügt über eine maximale Gate-Source-Spannung von -20 V, +20 V. Darüber hinaus beträgt die Höhe 9,65 mm. Die minimale Betriebstemperatur des Produkts beträgt -55 °C. Es bietet bis zu 4,7 mω maximalen Drain-Source-Widerstand.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IRFSL4010PBF
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