Beschreibung
BSP295H6327XTSA1 Infineon
Beschreibung: Hergestellt von Infineon Technologies. Die Herstellerteilenummer ist BSP295H6327XTSA1. Ihm ist der mögliche HTSUS-Wert 8541.29.0095 zugewiesen. Die typische Vgs (th) (max) des Produkts beträgt 1,8 V bei 400 µA. Das Produkt hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (tj). Außerdem ist das Produkt in to-261-4, to-261aa erhältlich. Es hat einen maximalen Rds On und eine Spannung von 300 mOhm bei 1,8 A, 10 V. Die maximale Gate-Ladung und die angegebenen Spannungen umfassen 17 nc bei 10 V. Das Produkt ist RoHS3-konform. Darüber hinaus ist es RDC-unempfindlich. Es verfügt über einen FET-Typ N-Kanal. Die Antriebsspannung (maximaler und minimaler Rds On) des Produkts umfasst 4,5 V, 10 V. Es wird in Tape & Reel (TR)-Verpackung geliefert. Das Produkt hat eine Drain-Source-Spannung von 60 V. Die maximale Vgs-Rate beträgt ±20 V. Seine typische Feuchtigkeitsempfindlichkeit beträgt 1 (unbegrenzt). Das Produkt hat eine maximale Verlustleistung von 1,8 W (TA). Die maximale Eingangskapazität des Produkts beträgt 368 pF bei 25 V. Das Produkt ist in Oberflächenmontagekonfiguration erhältlich. Das Produkt SIPMOS ist eine sehr bevorzugte Wahl für Benutzer. PG-SOT223-4 ist der Geräteverpackungswert des Lieferanten. Die kontinuierliche Stromaufnahme bei 25 °C beträgt 1,8 A (TA). Dieses Produkt verwendet MOSFET-Technologie (Metalloxid). Darüber hinaus entspricht es BSP295, einer Basisproduktnummer des Produkts. Das Produkt ist mit der Codenummer EAR99 gekennzeichnet.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: BSP295H6327XTSA1
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