Beschreibung
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Beschreibung: Silizium-N-Kanal-MOSFET, 39 A, 650 V, TO-247 3-Pin Infineon IMW65R048M1HXKSA1
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IMW65R048M1HXKSA1
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