Beschreibung
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Beschreibung: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET 56 A 1200 V 4-Pin PG-TO247-4, hergestellt von Infineon. Die Hersteller-Teilenummer ist IMZ120R030M1HXKSA1. Er hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 1200 V. Das Produkt ist in Durchsteckkonfiguration verfügbar. Das Produkt verfügt über einen verbesserten Kanalmodus. Das Produkt imz1 ist eine sehr beliebte Wahl für Benutzer. Das Produkt ist im Kanal [Kanaltyp] verfügbar. Das Produkt verfügt über eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4,5 V. Es bietet einen maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 30 mω. Das Gehäuse ist eine Art TO-247-4. Es besteht aus 1 Element pro Chip. Während 56 A maximaler kontinuierlicher Drainstrom. Der Transistor ist aus hochbeständigem Si-Material hergestellt. Er enthält 4 Pins.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IMZ120R030M1HXKSA1
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