Beschreibung
IRFI4510GPBF Infineon
Beschreibung: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET 35 A 100 V HEXFET 3-Pin TO-220FP, hergestellt von Infineon. Die Hersteller-Teilenummer ist IRFI4510GPBF. Während 35 A maximaler kontinuierlicher Drainstrom. Der Transistor ist aus hochbeständigem Si-Material gefertigt. Darüber hinaus ist das Produkt 4,83 mm breit. Das Produkt bietet eine Einzeltransistorkonfiguration. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V. Das Paket ist eine Art TO-220FP. Es besteht aus 1 Element pro Chip. Es hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Mit einer typischen Gate-Ladung bei Vgs sind 13 nc @ 50 V enthalten. Das Produkt ist im Kanal [Kanaltyp] verfügbar. Seine genaue Länge beträgt 10,63 mm. Es enthält 3 Pins. Das Produkt verfügt über einen verbesserten Kanalmodus. Das Produkt ist in einer Durchsteckkonfiguration verfügbar. Bietet bis zu 42 W maximale Leistungsabgabe. Das Produkt Hexfet ist eine sehr bevorzugte Wahl für Benutzer. Es verfügt über eine maximale Gate-Source-Spannung von -20 V, +20 V. Darüber hinaus beträgt die Höhe 9,8 mm. Die minimale Betriebstemperatur des Produkts beträgt -55 °C. Seine Durchlassdiodenspannung beträgt 1,3 V. Es bietet einen maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 13,5 mω.
Gewicht: 0,1 kg
Artikelnummer: IRFI4510GPBF
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